Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 83Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: AOD7S60
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AOD7S60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 8,2нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 33А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: driver; boost; TSSOP16; 3,5А; 37В; Ch: 1; PWM; Uробоча: 4,5÷20В
IC: driver; boost; TSSOP16; 3,5А; 37В; Ch: 1; PWM; Uробоча: 4,5÷20В

118,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
освітлення
Вихідна напруга:
37В
Вихідний струм:
3,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X8M; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X8M; ±10%; SMD; 0805

3,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8M
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT363
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT363

29,14 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT363
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD