Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,4А; 156Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG186N60EF-GE3
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 25
Код товару: SIHG186N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 168мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 8,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

1208,19 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1812

11,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,39нФ
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8,05x7,8x3,1мм; 11А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8,05x7,8x3,1мм; 11А; ферит

61,45 грн

Висота:
3,1мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

18,37 грн

Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP