Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9А; Idm: 96А; 35Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: SIHF080N60E-GE3
138,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHF080N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 96А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%

13,49 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 8
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 8

276,86 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
8
Недоступний
Ферит: кільцевий; феромагнетик Ni-Zn; Øзовн: 51мм; Øвнутр: 24,4мм
Ферит: кільцевий; феромагнетик Ni-Zn; Øзовн: 51мм; Øвнутр: 24,4мм

0,00 грн

Висота:
19мм
Діаметр внутрішній:
24,4мм
Діаметр зовнішній:
51мм
Матеріал стержня:
феромагнетик Ni-Zn
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,16 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2МОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2МОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

3,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Імпульсний; RUT300; Аксесуари: блок живлення
Імпульсний; RUT300; Аксесуари: блок живлення

1387,48 грн

Вид блоку живлення:
імпульсний
Застосування - серія/виробник:
RUT300
Тип аксесуарів для модулі зв'язку:
блок живлення
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT