Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2V7002LT1G
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2V7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм стока: 0,115А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

7,60 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,98 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
Недоступний
Кристал; 22,1184МГц; SMD; 5x3,2x1,2мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 22,1184МГц; SMD; 5x3,2x1,2мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm

16,22 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8