Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,19А; Idm: 0,8А; 0,14Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002K-T1-GE3
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,14Вт
Струм стока: 0,19А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 89,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 89,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-113; steel; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-113; steel; 5N; push-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; steel; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; steel; 5N; push-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Резистор: thin film; 80,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 80,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD