1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,3А; 0,22Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,3А; 0,22Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: 2N7002E-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,22Вт
Струм стока: 0,24А
Струм стоку в імпульсі: 1,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,44кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,44кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Провід; (N)YM(St)-J; 5G1,5мм2; дріт; Cu; ПВХ; сірий; 300В,500В
Провід; (N)YM(St)-J; 5G1,5мм2; дріт; Cu; ПВХ; сірий; 300В,500В

226,81 грн

Будова екрану:
екранований; плівка Al
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
(N)YM(St)-J
Недоступний
Захисна трубка; оцинкована сталь; чорний; SILVYN® OR; ПВХ; IP67
Захисна трубка; оцинкована сталь; чорний; SILVYN® OR; ПВХ; IP67

878,11 грн

Діаметр внутрішній:
21мм
Діаметр зовнішній:
26,4мм
Клас герметичності:
IP67
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; RK73H-RT
Резистор: thick film; 39,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; RK73H-RT

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB