1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBT7002K-AQ
7,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBT7002K-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; IE; PE
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; IE; PE

8368,61 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
синій
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; SMD8; Urmax: 6В
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; SMD8; Urmax: 6В

44,98 грн

CTR@If:
80-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Резистор: thin film; 56,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 56,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

28,51 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
85мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; DIP24; THT

1000,38 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8