Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 119А; 150Вт; TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP030N06NF2SAKMA1
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP030N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,05мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 119А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 2; 2,7÷12ВDC; TSSOP8; 0,9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 2; 2,7÷12ВDC; TSSOP8; 0,9мВ

74,13 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,9мВ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; straight

140,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.46mm; GKS-081; CuBe; 0.8N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.46mm; GKS-081; CuBe; 0.8N; push-in

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
7,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,46мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В

12,29 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

1,46 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30,8нКл
Корпус:
TO220-3