1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 133А; Idm: 811А; 50Вт; DFN5

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 133А; Idm: 811А; 50Вт; DFN5
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NVMFS5C638NLT1G
164,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C638NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40,7нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 133А
Струм стоку в імпульсі: 811А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

392,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 1,3А; ±20%; Isat: 1,5А
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 1,3А; ±20%; Isat: 1,5А

21,60 грн

Висота:
3,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 324Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
324Ом
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 35ВDC; Ø8x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 35ВDC; Ø8x20мм; ±20%

5,20 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7T; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7T; ±20%; SMD; 0603

6,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
68Ом
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6