Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 155А; Idm: 900А; 58Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: NTD5C632NLT4G
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 58Вт
Струм стока: 155А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

12,42 грн

Alias:
KGM21ACG1H222JU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; QUAD SPI,SDI,SPI,SQI; 1Mx8бит; SOIC8
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; QUAD SPI,SDI,SPI,SQI; 1Mx8бит; SOIC8

63,36 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
QUAD SPI; SDI; SPI; SQI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷75А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷75А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

3170,94 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 45°
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight

27,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м

20,84 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40В; 180А; Idm: 720А; 188Вт
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40В; 180А; Idm: 720А; 188Вт

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 2А; 60Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 2А; 60Вт

20,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 29А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 29А; 167Вт

216,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 141А; 113Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 141А; 113Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 60Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 60Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD