Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; Idm: 68А; 60Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFZ24PBF
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; SMT; straight

93,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8

176,13 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SDI; SPI; SQI
Корпус:
SO8
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А

81,09 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Електрична стійкість:
500000 цикли
Зовнішні розміри:
20,2x10,2x10,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

29,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 3,16кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 3,16кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C

1,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP; THT

157,75 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
63мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,53x6,1x7,46мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл