Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: CSD18536KTT
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD18536KTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 200А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷20мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷20мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

3274,21 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...20мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Загальна довжина:
75мм
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 36; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 36; 2.54mm

110,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
36
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX

29,27 грн

Діелектрик:
BX
Ємність:
2,7нФ
Робоча напруга:
100В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт

1583,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2497,47 грн

Зворотна напруга макс.:
275В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
300В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD