Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; 300мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: MMBF170-13-F
1,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: MMBF170-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: HDC; штекерний; HSB; PIN: 6; 35А; 400В; пригвинчуваний; скло
Роз’єм: HDC; штекерний; HSB; PIN: 6; 35А; 400В; пригвинчуваний; скло

1361,51 грн

Alias:
HDC HSB 6 MS
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thin film; 2,26кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 2,26кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,37Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: metal film; 4,3кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио
Резистор: metal film; 4,3кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио

92,18 грн

Використання:
аудио
Властивості резисторів:
низька індуктивність; низький шум
Допуск:
±1%
Опір:
4,3кОм
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

4,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK