Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; Idm: 80А; 25Вт; PDFN3030-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMQ20N06TS
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMQ20N06TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PDFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 90,9Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 90,9Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 267Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 267Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; angled; 3x3
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; angled; 3x3

12,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 976Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 976Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

7,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,12нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK