Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 220мА; Idm: 1,2А; 0,42Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002ET7G
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002ET7G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,81нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,42Вт
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 800В; If: 120А; TO240AA; 180А
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 800В; If: 120А; TO240AA; 180А

1594,65 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 3A; 250V

148,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

2,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: драйвер IGBT; 5кВ; SO16; 50кВ/мкс; туба
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: драйвер IGBT; 5кВ; SO16; 50кВ/мкс; туба

276,23 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO16
Резистор: thin film; 180кОм; 0204; 400мВт; ±1%; 3,5x3,5мм; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 180кОм; 0204; 400мВт; ±1%; 3,5x3,5мм; 50ppm/°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0204
Корпус - мм:
0510
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

1,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thin film; 130Ом; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; 1,6x0,8мм
Резистор: thin film; 130Ом; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; 1,6x0,8мм

10,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD