Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 12А; 700мВт; SOT23
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN6075S-13
Price: 3.74 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 12А; 700мВт; SOT23

Немає в наявності

Код товару: DMN6075S-13

3,74 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

DMN6075S-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

12,3нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

0,12Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,7Вт

Струм стока:

2А

Струм стоку в імпульсі:

12А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0402

Корпус - мм:
1005

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; ESD; 230Вт; 32В; односпрямована; SOT23; ролик,cтрічка

27,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Зворотна напруга макс.:
24В

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V

36,11 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
SMT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
5,1нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
82нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,1нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD