1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: DMN30H4D1S-13
5,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN30H4D1S-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,69Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT

186,26 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷4,5ВDC; 1,5А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷4,5ВDC; 1,5А

48,78 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,6...4,5В DC
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; прямий
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; прямий

16,79 грн

Alias:
SL 135 BB15R OR
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
12,6мм
Електричний монтаж:
PCB
Недоступний
Резистор: thick film; 54,9Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 54,9Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 16кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8