Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3

Немає в наявності
Код товару: DMN65D8LFB-7
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN65D8LFB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 870пКл
Корпус: X1-DFN1006-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,84Вт
Струм стока: 0,31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 250V

149,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Блок живлення: імпульсний; 24ВDC; 6,67А; Вих: KYCON KPPX-4P; 160Вт
Блок живлення: імпульсний; 24ВDC; 6,67А; Вих: KYCON KPPX-4P; 160Вт

2306,14 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; настільний
Вид вихідного з'єднання:
KYCON KPPX-4P
Вид вхідного роз'єму:
IEC C14
Вихідна напруга:
24В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 3A; 100V

361,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2А; R: 60мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2А; R: 60мОм; ±20%

10,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
60мОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD