Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO252; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOD2610E
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Код товару: AOD2610E
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: TO252
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23,5Вт
Струм стока: 36,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 517кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73H; 150В
Резистор: thin film; 517кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73H; 150В

3,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 8ВDC; Iвих: 125мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 8ВDC; Iвих: 125мА

199,57 грн

Вихідна напруга:
8В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
14,5x12x4,25мм
Кримпер: присвячений; контакти; Дов.інструмента: 250мм; L: 250мм
Кримпер: присвячений; контакти; Дов.інструмента: 250мм; L: 250мм

45092,55 грн

Довжина:
0,25м
Довжина інструмента:
250мм
Застосування інструментів для обробки кінцівок:
контакти
Модель:
ручна
Антена: комунікаційна; 5G,GSM,LTE; 5,5дБі; лінійна; 171,5мм
Антена: комунікаційна; 5G,GSM,LTE; 5,5дБі; лінійна; 171,5мм

517,61 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
5G; GSM; LTE
Довжина:
171,5мм
Коефіцієнт підсилення антени:
5,5дБі
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 43; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 43; THT; 3A; vertical; 2.54mm

219,84 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
43
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

1,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 25мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RL; -55÷155°C
Резистор: thick film; 25мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RL; -55÷155°C

1,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт

255,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK