Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 37,5Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: AOT2610L
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOT2610L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 8,5нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 10,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 37,5Вт
Струм стока: 39А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 3x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 305м
Провід; Xtra Guard® Flex; 3x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 305м

103354,79 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,8мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 250кsps; 4,75÷5,25В; SSOP28
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 250кsps; 4,75÷5,25В; SSOP28

0,00 грн

Max DNL:
±2LSB
Max INL:
±3LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Недоступний
Резистор: thick film; 4,53кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,53кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 24А; 660Вт; TO247-3

754,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO251B
Модель:
ESD