Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,5Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM06N30M
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM06N30M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 309кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
309кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 1,24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 1,24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Зонд: для осцилографа; пасивний; 0÷250МГц; 10: 1; 1,2нс; 10÷35пФ
Зонд: для осцилографа; пасивний; 0÷250МГц; 10: 1; 1,2нс; 10÷35пФ

3227,32 грн

Вид щупа:
пасивний
Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; EN 61010
Діапазон компенсації:
10...35пФ
Дільник:
10:1
Недоступний
Резистор: thick film; 698кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 698кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD