Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSZ068N06NSATMA1
86,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSZ068N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TSDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 40А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO262M; THT; 300А; SIDACtor®; UBO: 88В
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO262M; THT; 300А; SIDACtor®; UBO: 88В

402,31 грн

Вид упаковки:
лоток
Зворотна напруга макс.:
65В
Корпус:
TO262M
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C

5954,14 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 500В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 500В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805

16,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,6пФ
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 20,9В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 20,9В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1; 1KSMB

11,59 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
18,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 20В; 102,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 20В; 102,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

953,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; TO218,TO220,TO247,TO264,TO3P
Радіатор: штампований; ребристий; TO218,TO220,TO247,TO264,TO3P

0,00 грн

Використання:
TO3P; TO218; TO220; TO247; TO264
Висота:
11,5мм
Довжина:
50мм
Колір:
натуральний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,3пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD