Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDP22N50N
234,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP22N50N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 312,5Вт
Струм стока: 13,2А
Технологія: UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 174кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 174кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм

5,77 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
174кОм
Недоступний
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 16,8Вт; 3÷45ВDC; 350мА
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 16,8Вт; 3÷45ВDC; 350мА

7176,90 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
3...45В DC
Вихідний струм:
0,35А
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 1А; на дріт; Øвнутр: 14мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 1А; на дріт; Øвнутр: 14мм

1374,81 грн

Вихідний струм:
1А
Вхідний струм:
300А
Діаметр внутрішній:
14мм
Клас точності:
0,5 @max 10ВА; 1 @max 12,5ВА; 3 @max 15ВА
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V

164,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
13,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247