1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTMFS5C670NLT1G
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTMFS5C670NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 440А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO204AL,DO41; 2мкс
Діод: випрямний; THT; 100В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO204AL,DO41; 2мкс

1,65 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO41; DO204AL
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,4В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16нФ; 50В; X8G; ±2%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16нФ; 50В; X8G; ±2%; SMD; 1206; 180мм

11,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,74кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,74кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 39,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 39,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1+N; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1+N; 6кА

566,40 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 2,32Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,32Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
2,32Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл