1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,6А; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,6А; SOT223
Немає в наявності
Код товару: PJA3430-AU_R1_000A1
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3430-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Струм стока: 6,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; 0,025A/24ВDC; Поз: 2; SMD; -40÷85°C
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; 0,025A/24ВDC; Поз: 2; SMD; -40÷85°C

103,27 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 26А; Idm: 78А; 46Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 26А; Idm: 78А; 46Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Недоступний
IC: цифровий; відвертаючий,тригер D; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; X2SON6
IC: цифровий; відвертаючий,тригер D; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; X2SON6

10,07 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
відвертаючий; тригер D
Кількість виходів:
1
Кількість каналів:
1
Недоступний
Кристал; 26МГц; 9пФ; ±9ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -20÷75°C
Кристал; 26МГц; 9пФ; ±9ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -20÷75°C

3,61 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
9пФ
Робоча температура:
-20...75°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

81,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NO
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NO

50,05 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED

3,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223