Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP040N06N3GXKSA1
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм стока: 90А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; WLCSP66; 1,8ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; WLCSP66; 1,8ВDC; -40÷85°C

312,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PoR; watchdog
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
51
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 3A; 250V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Діод: TVS; 600Вт; 15,6÷17,3В; 25,9А; односпрямована; ±5%; SMB
Діод: TVS; 600Вт; 15,6÷17,3В; 25,9А; односпрямована; ±5%; SMB

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SMB
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,29мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SDI,SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 40МГц
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SDI,SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 40МГц

59,55 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SDI; SPI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A

129,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 6,8А; 55Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 6,8А; 55Вт; TO251

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD