Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 97А; 136Вт; DPAK,TO252AA

Немає в наявності
Код товару: SQD97N06-6M3L_GE3
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQD97N06-6M3L_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 97А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 953Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 953Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм

14,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,45x4,1x1,8мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65

35681,75 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
50мм
Довжина відводів:
2м
Довжина гвинта:
40мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; AC; 50В
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; AC; 50В

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252