1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 99А; 143Вт; DPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 99А; 143Вт; DPAK
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRLR3636TRPBF
106,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 143Вт
Струм стока: 99А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)

654,46 грн

Вага головки:
2кг
Вид інструменту:
слюсарний
Матеріал держака:
дерево (ясен)
Тип інструмента:
молоток
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

0,40 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA

5,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; DO221AC; SMA
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247

387,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
260нКл
Корпус:
TO247
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT

12,73 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,18мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 306Вт; D2PAK,SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 306Вт; D2PAK,SOT404

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,1А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,1А; 1,4Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,6А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,6А; 56,8Вт; TO252

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,9нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD