Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IRFR020TRRPBF
19,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: IRFR020TRRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 2Вт; 6,3x3,2x0,55мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 2Вт; 6,3x3,2x0,55мм; -55÷155°C

12,80 грн

Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
51Ом
Потужність:
2Вт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 390нФ; 400В; 19x14x8мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 390нФ; 400В; 19x14x8мм; THT

2,65 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,39мкФ
Монтаж:
THT
Роз’єм: круглі; штекерний; промислова; прямий; затискання; латунь
Роз’єм: круглі; штекерний; промислова; прямий; затискання; латунь

46,88 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
1,02...1,52мм
Провід; тросик; Cu; 18AWG; ПВХ; фіолетовий; 600В; 1x18AWG
Провід; тросик; Cu; 18AWG; ПВХ; фіолетовий; 600В; 1x18AWG

31,68 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я; що самогаситься
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK