1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 25А; 83Вт; DPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 25А; 83Вт; DPAK
Немає в наявності
Код товару: NVD360N65S3T4G
156,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVD360N65S3T4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16,8нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

0,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: стабілізатор напруги; лінійний,регульований; 1,2÷37В; 1,5А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,регульований; 1,2÷37В; 1,5А

25,34 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; регульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...37В
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73-RT
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73-RT

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 102÷109В; 4,17А; двоспрямована; ±3,5%; TransZorb®
Діод: TVS; 600Вт; 102÷109В; 4,17А; двоспрямована; ±3,5%; TransZorb®

10,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±3,5%
Зворотна напруга макс.:
90В
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; 50÷60Гц; 14÷16В; 10÷550мА; 9,4Вт
Пуск.компл: обчислювальне; 50÷60Гц; 14÷16В; 10÷550мА; 9,4Вт

3585,28 грн

Вихідна напруга:
14...16В
Вихідна напруга 2:
4,75...5,25В DC
Вихідна напруга 3:
3,1...3,5В DC
Вихідний струм:
10...550мА
Діод: TVS; 1,5кВт; 35,05В; 31А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 35,05В; 31А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight

29,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD