Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 63Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD65R225C7ATMA1
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,225Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 11А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7/8" "папа"; прямий; 5м; вилка; 300ВAC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7/8" "папа"; прямий; 5м; вилка; 300ВAC

1980,49 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

1177,78 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 3x18AWG; екранований,плівка AL-PET
Провід; Alpha Essential C&C; 3x18AWG; екранований,плівка AL-PET

10537,90 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 240x80x0,3мм; EFS
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 240x80x0,3мм; EFS

1817,03 грн

Властивості мати:
самоклеюча
Магнітна проникність:
10
Робоча температура:
-40...105°C
Розміри:
240x80x0,3мм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,42кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 4,42кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 10кВ; ±10%; THT; 10мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 10кВ; ±10%; THT; 10мм

41,18 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 1,4Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD