Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 24А; 40Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: IXTP12N65X2M
179,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP12N65X2M
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 17,7нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 30,1кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 30,1кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,43 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 698Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 698Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 68кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 68кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,15Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,15Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

3,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; Ø4; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; Ø4; 2м; IP67

5704,52 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,6мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
20мм
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT