Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 13А; Idm: 36А; 106Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: NTD250N65S3H
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: NTD250N65S3H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 106Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; демультиплексор; SPST; Ch: 8; TQFP48
IC: аналоговий перемикач; демультиплексор; SPST; Ch: 8; TQFP48

935,13 грн

Вид об'єднаної схеми:
демультиплексор
Вид упаковки:
лоток
Кількість каналів:
8
Конфігурація виходу:
SPST
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thin film; 590Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 590Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 264кБSRAM; LQFP144; 2,2÷3,6ВDC; 204МГц
IC: мікроконтролер ARM; 264кБSRAM; LQFP144; 2,2÷3,6ВDC; 204МГц

646,86 грн

Вид архітектури:
Cortex M4/M0
Інтерфейс:
CAN; Ethernet; I2C; IrDA; Microwire; SPI; USART; USB OTG
Кількість входів/виходів:
83
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0402

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669