Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 15,5А; Idm: 96А; 190Вт; TO247

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW33N60DM2
311,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW33N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 15,5А
Струм стоку в імпульсі: 96А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 60В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: NPN; біполярний; 60В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Недоступний
Резистор: thick film; 60,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 60,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Перемикач: антивандальний; IP67; ON-(ON),ON-ON; Підсв: LED; сталь
Перемикач: антивандальний; IP67; ON-(ON),ON-ON; Підсв: LED; сталь

1569,95 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Клас герметичності:
IP67
Колір корпусу:
срібний
Недоступний
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT