Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 63А; 208Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB100N65E-GE3
319,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB100N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 87мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8

96,93 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; TPU; IP67
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; TPU; IP67

584,14 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 68Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 45мкФ; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 45мкФ; ±5%

472,63 грн

Виводи:
проводи
Висота:
95мм
Діаметр:
45мм
Допуск:
±5%
Діод: TVS; 5кВт; 36,7В; 93,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 5кВт; 36,7В; 93,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

44,98 грн

Зворотна напруга макс.:
33В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 4,22кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 4,22кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V

812,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26