Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 60А; 192Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: NTP150N65S3HF
252,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTP150N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm

290,80 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 43мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 300ppm/°C
Резистор: thick film; 43мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 300ppm/°C

3,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP