Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 300мА; Idm: 0,5А; 2,5Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DN3765K4-G
128,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DN3765K4-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В; -55÷155°C

4,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: metal film; 6,65кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C
Резистор: metal film; 6,65кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 230мА; R: 3,12Ом; ±20%; 6,2x6,6x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; 230мА; R: 3,12Ом; ±20%; 6,2x6,6x3мм

11,34 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
3,12Ом
Резистор: thick film; 6,81МОм; SMD; 1206; 667мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 6,81МОм; SMD; 1206; 667мВт; ±1%; 200В

2,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний; вуха під гвинт; 355А; 690ВAC
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний; вуха під гвинт; 355А; 690ВAC

6093,52 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Відповідність стандарту:
IEC; VDE
Властивості запобіжників:
індикатор спрацьовування
Застосування запобіжників:
захист ліній електропередач
Connector: wire-board; data; PIN: 13; shrouded; tinned; angled
Connector: wire-board; data; PIN: 13; shrouded; tinned; angled

12,35 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
13
Матеріал контакту:
бронза
Недоступний
Роз’єм: живлення AC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 6А
Роз’єм: живлення AC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 6А

420,68 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Виводи:
конектори
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
CSA 22.2 No. 8 1986; IEC EN 60939; UL 1283
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD