Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; 208Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP100N65E-GE3
319,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHP100N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

4417,14 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 8A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 8A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

2028,01 грн

Виводи:
проводи
Властивості перемикачів:
без важеля
Довжина відводів:
0,5м
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6нГн; 760мА; R: 0,056Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6нГн; 760мА; R: 0,056Ом; LQW; 180мм

4,43 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
6нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; TO277A; SMD; 100В; 8А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; TO277A; SMD; 100В; 8А; ролик,cтрічка

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO277A
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3ВDC; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3ВDC; ±10%; SMD; 0603

4,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™