1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP34N65X2
463,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 540Вт
Струм стока: 34А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 164нс
Недоступний
Роз’єм: M17; вилка; Розмір: 2мм; EPIC® M17 POWER; штекерний; PIN: 4
Роз’єм: M17; вилка; Розмір: 2мм; EPIC® M17 POWER; штекерний; PIN: 4

1528,77 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
3,5...11мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

2,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 27мм; 1/2"; сталь; L: 46мм
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 27мм; 1/2"; сталь; L: 46мм

345,29 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3124; ISO2725-1
Довжина:
46мм
Матеріал:
сталь
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,3кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.2mm; GKS-075; CuBe; 2.8N; screw-in
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.2mm; GKS-075; CuBe; 2.8N; screw-in

522,05 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,2мм
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 28,9÷33,2В; 35,6А; односпрямована; SMC; 1.5SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 28,9÷33,2В; 35,6А; односпрямована; SMC; 1.5SMCJ

10,90 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
26В
Реактор: дротяний; SMD; 27мкГн; 1,3А; ±10%; ферит; 5мм; 120мОм
Реактор: дротяний; SMD; 27мкГн; 1,3А; ±10%; ферит; 5мм; 120мОм

38,65 грн

Висота:
5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
27мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл