Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTQ48N65X2M
606,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: TO3PF
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220

152,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C

17,74 грн

Зворотна напруга макс.:
10В
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
11,7В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,60 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
68Ом
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм

0,44 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6мм
Допуск:
±5%
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

32,94 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,2В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,4В
Діод: зенера; 500мВт; 6,2В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,4В

17880,79 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
6,2В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 19А; 190Вт; TO247AC

278,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 46А; 88Вт; TO220AB

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 208Вт; PG-TO220-3

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT