Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5,5А; Idm: 22А; 20Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STF9N60M2
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 720мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 17; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 17; SMT; straight

60,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷60ВDC; Uвих: 1,2÷57ВDC; 0,5А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷60ВDC; Uвих: 1,2÷57ВDC; 0,5А

398,51 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...57В DC
Вихідний струм:
0,5А
IC: цифровий; NOR; IN: 8; SMD; TSSOP14; -40÷125°C; 3,6нс; VHC
IC: цифровий; NOR; IN: 8; SMD; TSSOP14; -40÷125°C; 3,6нс; VHC

15,08 грн

Вид затвору:
NOR
Корпус:
TSSOP14
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RBD

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP