Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; Idm: 28А; 83Вт; DPAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; Idm: 28А; 83Вт; DPAK
Brand: ONSEMI
SKU: NTD360N65S3H
Price: 171.06 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NTD360N65S3H

171,06 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NTD360N65S3H

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

17,5нКл

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

296мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

83Вт

Струм стока:

6А

Струм стоку в імпульсі:

28А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
21,5нКл

Корпус:
PowerPAK® SC70

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
52нКл

Корпус:
DFN5

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
FG (TO263AB)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT323

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
142нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
8,9нКл