Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 21А; 63Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: BXC65R650D
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXC65R650D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик; туба
Заряд затвора: 13,3нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 47; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 47; THT; 3A; 100V

390,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THR,THT; 3A

106,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 57,6кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 57,6кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; SPDT; Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; SPDT; Поз: 2

90,60 грн

Виводи:
для друку; прямі; самоблокуючі
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Довжина важеля:
19,65мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 36МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 36МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

402,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x3; USART x5
Кількість входів/виходів:
51
Корпус:
LQFP64
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл