Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SPP11N60C3XKSA1
167,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 33А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; неекранований; вилка; ПВХ; IP67
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; неекранований; вилка; ПВХ; IP67

854,66 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 3А; 3A/33ВDC
Реле: напівпровідниковe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 3А; 3A/33ВDC

1683,35 грн

Електричне під'єднування:
push-in
Зовнішні розміри:
94x6,2x80мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
стабілізація струму
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210

21,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: metal film; 3,9кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 3,9кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,30 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 6; OFF-ON; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 6; OFF-ON; 0,025A/24ВDC

63,36 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість секцій:
6
Кількість фіксованих позицій:
2
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB