Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 18,5А; Idm: 74А; 3,1Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS048NV6HG4
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS048NV6HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28,5нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 18,5А
Струм стоку в імпульсі: 74А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 8A/250ВAC; HFE60
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 8A/250ВAC; HFE60

184,36 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
31,2В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 87,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 87,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 01005; 30мВт; ±5%; 15В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 01005; 30мВт; ±5%; 15В; -55÷125°C

2,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 57,6Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 57,6Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
57,6Ом
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD