Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 18,5А; Idm: 74А; 3,1Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS048NV6LG4
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS048NV6LG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 5,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 18,5А
Струм стоку в імпульсі: 74А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 20В; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; P6KE; ролик
Діод: TVS; 20В; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; P6KE; ролик

5,13 грн

Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
20В
Недоступний
Резистор: thin film; 6,34кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 6,34кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Наконечник: втулковий; неізольований; мідь; 1мм2; 10мм; луджений
Наконечник: втулковий; неізольований; мідь; 1мм2; 10мм; луджений

1,19 грн

Версія наконечника:
неізольований
Довжина кінцівки:
10мм
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
мідь
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B; 200В
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B; 200В

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 6В; на панель; Han-Eco® B
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 6В; на панель; Han-Eco® B

1762,55 грн

Engineering PN:
Han-Eco 6B-HSM1-with SL-M25
Застосування - серія/виробник:
Han-Eco® B
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thin film; 5,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 5,1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; X8G; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; X8G; ±0,1%; SMD; 0402

1,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл