Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 60А; Idm: 340А; 240Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DIW085N06
200,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIW085N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 9,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 340А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0204
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0204

1,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73H; 200В

7,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 330кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 330нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 330нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%

18,06 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Імпульсна міцність:
340В/мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 2,87кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 30В; If: 100Аx2; TO240AB
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 30В; If: 100Аx2; TO240AB

2040,04 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
TO240AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл