Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 68А; Idm: 272А; 73,5Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO090NV6HG4
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO090NV6HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,8нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 73,5Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 272А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 4,8мм; ØLED: 3мм; чорний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 4,8мм; ØLED: 3мм; чорний

6,97 грн

Type of optoelectronics accessories:
дистнацююча втулка
Вид коробки:
T1
Використання:
LED; діоди LED
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Недоступний
Резистор: metal film; 12,1кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 12,1кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

8,87 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 56нГн; 340мА; R: 0,996Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 56нГн; 340мА; R: 0,996Ом; ±2%; LQW

3,75 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
56нГн
Корпус - дюйм:
0402
Резистор: metal film; 43кОм; 250мВт; ±2%; -65÷150°C; осьові
Резистор: metal film; 43кОм; 250мВт; ±2%; -65÷150°C; осьові

22,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,29мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±2%
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 17,1А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 17,1А

96,93 грн

Alias:
SC 3.81/07/180F 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
12,4мм
Потенціометр: осьовий; 100Ом; багатообертовий; 2Вт; ±5%; 6,35мм
Потенціометр: осьовий; 100Ом; багатообертовий; 2Вт; ±5%; 6,35мм

950,96 грн

Вид потенціометра:
багатообертовий
Висота:
19мм
Властивості потенціометрів:
прецизійний
Діаметр:
22,22мм
Недоступний
Запобіжник: плавка; 10,3x57,2мм; циліндровий; вуха під гвинт; 1А
Запобіжник: плавка; 10,3x57,2мм; циліндровий; вуха під гвинт; 1А

736,82 грн

Вид запобіжника:
циліндровий
Матеріал контакту:
сплав міді
Монтаж:
вуха під гвинт
Номінальна напруга:
1,5кВ DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK