Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 90А; Idm: 360А; 71,4Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO048NV6HG4
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO048NV6HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28,5нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 71,4Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V

226,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
23,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,94кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,94кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В
Резистор: thin film; 150кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В

0,91 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 10÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 417мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 10÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 417мА

7327,68 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
0,417А
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 7x26AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 30,5м
Провід; Xtra Guard® Flex; 7x26AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 30,5м

20053,88 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Резистор: thin film; 3,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 3,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
6,8Ом
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD