1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 16А; 44,64Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 16А; 44,64Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: BXC70R1K0D
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXC70R1K0D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик; туба
Заряд затвора: 9,3нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,64Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кернер; Ø: 9мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 200мм
Кернер; Ø: 9мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 200мм

1246,83 грн

Діаметр наконечника:
9мм
Довжина інструмента:
200мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Тип інструмента:
кернер
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC

282,56 грн

Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
165В DC
Макс. струм контактів:
16А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Резистор: thin film; 21кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 21кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Вентилятор: DC; 38x38x28мм; осьовий; 12ВDC; 30,75м3/г; 51,8дБА
Вентилятор: DC; 38x38x28мм; осьовий; 12ВDC; 30,75м3/г; 51,8дБА

558,16 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 665кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 665кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
665кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
270кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK